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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleMTD3055VL
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MTD3055VL - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MTD3055VL
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-MTD3055VL
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
MTD3055VL.pdf
En stock: 3690

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MTD3055VL
Fairchild Semiconductor - MTD3055VL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - MTD3055VL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 6A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 3.9W (Ta), 48W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor MTD3055VL

Attributs du produit MTD3055VL MTD3055VL MTD3055V MTD3055V
Modèle de produit MTD3055VL MTD3055VL MTD3055V MTD3055V
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Séries - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 6A, 5V 180mOhm @ 6A, 5V 150mOhm @ 6A, 10V 150mOhm @ 6A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 5 V 10 nC @ 5 V 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 12A (Tc) 12A (Ta) 12A (Ta)
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak)
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 5V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 3.9W (Ta), 48W (Tc) 3.9W (Ta), 48W (Tc) 3.9W (Ta), 48W (Tc) 3.9W (Ta), 48W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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