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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleKSC1008YBU
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

KSC1008YBU - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
KSC1008YBU
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-KSC1008YBU
Modèle ECAD
Description des pièces
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Description détaillée
Emballage
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Fiche technique
KSC1008YBU.pdf
En stock: 469900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques KSC1008YBU
Fairchild Semiconductor - KSC1008YBU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - KSC1008YBU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 60 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 500mA  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur TO-92-3  
Séries -  
Puissance - Max 800 mW  
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Fréquence - Transition 50MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 50mA, 2V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 700 mA  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor KSC1008YBU

Attributs du produit KSC1008YBU KSC1008YTA KSC1008YBU KSC1008OBU
Modèle de produit KSC1008YBU KSC1008YTA KSC1008YBU KSC1008OBU
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Courant - Collecteur (Ic) (max) 700 mA 700 mA 700 mA 700 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 60 V 60 V 60 V 60 V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Puissance - Max 800 mW 800 mW 800 mW 800 mW
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 50mA, 2V 120 @ 50mA, 2V 120 @ 50mA, 2V 70 @ 50mA, 2V
Fréquence - Transition 50MHz 50MHz 50MHz 50MHz
Package composant fournisseur TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
Séries - - - -
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 500mA 400mV @ 50mA, 500mA 400mV @ 50mA, 500mA 400mV @ 50mA, 500mA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Transistor Type NPN NPN NPN NPN

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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