Spécifications
Spécifications techniques HUF75309P3
Fairchild Semiconductor - HUF75309P3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - HUF75309P3
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Fabricant |
Fairchild (onsemi) |
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| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
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| Vgs (Max) |
±20V |
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| La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Package composant fournisseur |
TO-220-3 |
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| Séries |
UltraFET™ |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
70mOhm @ 19A, 10V |
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| Dissipation de puissance (max) |
55W (Tc) |
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| Package / Boîte |
TO-220-3 |
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| Emballer |
Tube |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Température de fonctionnement |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
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| Type de montage |
Through Hole |
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| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
350 pF @ 25 V |
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| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs |
24 nC @ 20 V |
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| type de FET |
N-Channel |
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| Fonction FET |
- |
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| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) |
10V |
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| Tension drain-source (Vdss) |
55 V |
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| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C |
19A (Tc) |
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Mode de transport
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| Pays communs Référence du temps logistique |
| Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
| Amérique |
États-Unis |
5 |
| Brésil |
7 |
| L'Europe |
Allemagne |
5 |
| Royaume-Uni |
4 |
| Italie |
5 |
| Océanie |
Australie |
6 |
| Nouvelle-Zélande |
5 |
| Asie |
Inde |
4 |
| Japon |
4 |
| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Note:
- Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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HUF75307T3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
HUF75321D3ST MOSAMI Semiconductor/onsemi
HUF75309D3SonsemiMOSFET N-CH 55V 19A DPAK
HUF75307T3STonsemiMOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
HUF75309D3 MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)