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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQPF8N80C
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQPF8N80C - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FQPF8N80C
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FQPF8N80C
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FQPF8N80C.pdf
En stock: 4380

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQPF8N80C
Fairchild Semiconductor - FQPF8N80C Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FQPF8N80C

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.55Ohm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 59W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FQPF8N80C

Attributs du produit FQPF8N80C FQPF8N60CT FQPF8P10 FQPF90N10V2
Modèle de produit FQPF8N80C FQPF8N60CT FQPF8P10 FQPF90N10V2
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tension drain-source (Vdss) 800 V 600 V 100 V 100 V
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Fonction FET - - - -
Emballer Bulk Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 59W (Tc) 48W (Tc) 28W (Tc) 83W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 191 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 25 V 1255 pF @ 25 V 470 pF @ 25 V 6150 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Tc) 7.5A (Tc) 5.3A (Tc) 90A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.55Ohm @ 4A, 10V 1.2Ohm @ 3.75A, 10V 530mOhm @ 2.65A, 10V 10mOhm @ 45A, 10V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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