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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQI8N60CTU
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQI8N60CTU - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FQI8N60CTU
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FQI8N60CTU
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
FQI8N60CTU.pdf
En stock: 24285

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQI8N60CTU
Fairchild Semiconductor - FQI8N60CTU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FQI8N60CTU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262)  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.13W (Ta), 147W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1255 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Tc)  
Numéro de produit de base FQI8N60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FQI8N60CTU

Attributs du produit FQI8N60CTU FQI7N80TU FQI7N80TU FQI9N50CTU
Modèle de produit FQI8N60CTU FQI7N80TU FQI7N80TU FQI9N50CTU
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Emballer Bulk Tube Bulk Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Numéro de produit de base FQI8N60 FQI7N80 - -
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1255 pF @ 25 V 1850 pF @ 25 V 1850 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 3.13W (Ta), 147W (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) 135W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Tc) 6.6A (Tc) 6.6A (Tc) 9A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.75A, 10V 1.5Ohm @ 3.3A, 10V 1.5Ohm @ 3.3A, 10V 800mOhm @ 4.5A, 10V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 600 V 800 V 800 V 500 V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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