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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQI19N20TU
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQI19N20TU - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FQI19N20TU
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FQI19N20TU
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
FQI19N20TU.pdf
État RoHS
En stock: 39950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQI19N20TU
Fairchild Semiconductor - FQI19N20TU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FQI19N20TU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262)  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 9.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.13W (Ta), 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19.4A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FQI19N20TU

Attributs du produit FQI19N20TU FQI17P06TU FQI13N50CTU FQI19N20TU
Modèle de produit FQI19N20TU FQI17P06TU FQI13N50CTU FQI19N20TU
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19.4A (Tc) 17A (Tc) 13A (Tc) 19.4A (Tc)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 3.13W (Ta), 140W (Tc) 3.75W (Ta), 79W (Tc) 195W (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 200 V 60 V 500 V 200 V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 2055 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 9.7A, 10V 120mOhm @ 8.5A, 10V 480mOhm @ 6.5A, 10V 150mOhm @ 9.7A, 10V
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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