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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQB44N10TM
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQB44N10TM - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FQB44N10TM
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FQB44N10TM
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
FQB44N10TM.pdf
En stock: 5080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQB44N10TM
Fairchild Semiconductor - FQB44N10TM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FQB44N10TM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 21.75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 146W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 43.5A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FQB44N10TM

Attributs du produit FQB44N10TM FQB3P20TM FQB46N15TM FQB3P20TM
Modèle de produit FQB44N10TM FQB3P20TM FQB46N15TM FQB3P20TM
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Dissipation de puissance (max) 3.75W (Ta), 146W (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc) 3.75W (Ta), 210W (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±30V
Séries QFET® QFET® QFET™ QFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 3250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 200 V 150 V 200 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 21.75A, 10V 2.7Ohm @ 1.4A, 10V 42mOhm @ 22.8A, 10V 2.7Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 43.5A (Tc) 2.8A (Tc) 45.6A (Tc) 2.8A (Tc)
Fonction FET - - - -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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