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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDZ375P
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDZ375P - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDZ375P
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDZ375P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
Description détaillée
Emballage
4-XFBGA, WLCSP
Fiche technique
FDZ375P.pdf
En stock: 22623

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDZ375P
Fairchild Semiconductor - FDZ375P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDZ375P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 4-WLCSP (1x1)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 2A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.7W (Ta)  
Package / Boîte 4-XFBGA, WLCSP  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 865 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.7A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDZ375P

Attributs du produit FDZ375P FDZ5047N FDZ371PZ FDZ299P
Modèle de produit FDZ375P FDZ5047N FDZ371PZ FDZ299P
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 4-XFBGA, WLCSP 36-VFBGA 4-XFBGA, WLCSP 9-WFBGA
Package composant fournisseur 4-WLCSP (1x1) 36-BGA (5x5.5) 4-WLCSP (1x1) 9-BGA (2x2.1)
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Dissipation de puissance (max) 1.7W (Ta) 2.8W (Ta) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 865 pF @ 10 V 4993 pF @ 15 V 1000 pF @ 10 V 742 pF @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 2A, 4.5V 2.9mOhm @ 22A, 10V 75mOhm @ 2A, 4.5V 55mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.7A (Ta) 22A (Ta) 3.7A (Ta) 4.6A (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V 73 nC @ 5 V 17 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 4.5V, 10V 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 20 V
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±8V ±20V ±8V ±12V
Fonction FET - - - -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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