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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDZ294N
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDZ294N - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDZ294N
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDZ294N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA
Description détaillée
Emballage
9-VFBGA
Fiche technique
FDZ294N.pdf
État RoHS
En stock: 28946

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDZ294N
Fairchild Semiconductor - FDZ294N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDZ294N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 9-BGA (1.5x1.6)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.7W (Ta)  
Package / Boîte 9-VFBGA  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDZ294N

Attributs du produit FDZ294N FDZ293P FDZ299P FDZ293P
Modèle de produit FDZ294N FDZ293P FDZ299P FDZ293P
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Package / Boîte 9-VFBGA 9-VFBGA 9-WFBGA 9-VFBGA
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 10 V 754 pF @ 10 V 742 pF @ 10 V 754 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6A, 4.5V 46mOhm @ 4.6A, 4.5V 55mOhm @ 4.6A, 4.5V 46mOhm @ 4.6A, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Package composant fournisseur 9-BGA (1.5x1.6) 9-BGA (1.5x1.6) 9-BGA (2x2.1) 9-BGA (1.5x1.6)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±12V
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta) 4.6A (Ta) 4.6A (Ta) 4.6A (Ta)
Fonction FET - - - -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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