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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDU8878
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDU8878 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDU8878
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDU8878
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 11A/40A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
FDU8878.pdf
État RoHS
En stock: 136850

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDU8878
Fairchild Semiconductor - FDU8878 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDU8878

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 35A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 40A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDU8878

Attributs du produit FDU8878 FDU8796 FDU8876 FDU8870
Modèle de produit FDU8878 FDU8796 FDU8876 FDU8870
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Package composant fournisseur I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V 118 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 25 V 30 V 30 V
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc) 88W (Tc) 70W (Tc) 160W (Tc)
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 15 V 2610 pF @ 13 V 1700 pF @ 15 V 5160 pF @ 15 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 40A (Tc) 35A (Tc) 15A (Ta), 73A (Tc) 21A (Ta), 160A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 35A, 10V 5.7mOhm @ 35A, 10V 8.2mOhm @ 35A, 10V 3.9mOhm @ 35A, 10V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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