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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDS9933A
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS9933A - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDS9933A
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDS9933A
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS9933A.pdf
En stock: 4420

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS9933A
Fairchild Semiconductor - FDS9933A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDS9933A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3.8A, 4.5V  
Puissance - Max 900mW  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.8A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base FDS99  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDS9933A

Attributs du produit FDS9933A FDS9933BZ FDS9933A FDS9933BZ
Modèle de produit FDS9933A FDS9933BZ FDS9933A FDS9933BZ
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.8A 4.9A 3.8A 4.9A
Puissance - Max 900mW 900mW 900mW 900mW
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3.8A, 4.5V 46mOhm @ 4.9A, 4.5V 75mOhm @ 3.8A, 4.5V 46mOhm @ 4.9A, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V 985pF @ 10V 600pF @ 10V 985pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V 10nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Numéro de produit de base FDS99 FDS99 FDS99 FDS99
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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