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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDS9412
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS9412 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDS9412
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDS9412
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS9412.pdf
État RoHS
En stock: 134150

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS9412
Fairchild Semiconductor - FDS9412 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDS9412

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 830 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.9A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDS9412

Attributs du produit FDS9412 FDS9412 FDS9412A FDS9400A
Modèle de produit FDS9412 FDS9412 FDS9412A FDS9400A
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 830 pF @ 15 V 830 pF @ 15 V 985 pF @ 15 V 205 pF @ 15 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±25V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.9A, 10V 22mOhm @ 7.9A, 10V 21mOhm @ 8A, 10V 130mOhm @ 1A, 10V
Séries - - PowerTrench® PowerTrench®
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.9A (Ta) 7.9A (Ta) 8A (Ta) 3.4A (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 3.5 nC @ 5 V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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