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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDS7064N
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS7064N - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDS7064N
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDS7064N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS7064N.pdf
État RoHS
En stock: 36246

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS7064N
Fairchild Semiconductor - FDS7064N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDS7064N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 16A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3355 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDS7064N

Attributs du produit FDS7064N FDS7064N7 FDS7060N7 FDS7060N7
Modèle de produit FDS7064N FDS7064N7 FDS7060N7 FDS7060N7
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3355 pF @ 15 V 3355 pF @ 15 V 3274 pF @ 15 V 3274 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V 48 nC @ 4.5 V 56 nC @ 5 V 56 nC @ 5 V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta) 16.5A (Ta) 19A (Ta) 19A (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±20V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO FLMP
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 16A, 4.5V 7mOhm @ 16.5A, 4.5V 5mOhm @ 19A, 10V 5mOhm @ 19A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Bulk Bulk Bulk Tape & Reel (TR)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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