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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDS3601
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS3601 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDS3601
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDS3601
Modèle ECAD
Description des pièces
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS3601.pdf
État RoHS
En stock: 87500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS3601
Fairchild Semiconductor - FDS3601 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDS3601

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 1.3A, 10V  
Puissance - Max 900mW  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 100V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.3A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base FDS36  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDS3601

Attributs du produit FDS3601 FDS3601 FDS3612 FDS3670
Modèle de produit FDS3601 FDS3601 FDS3612 FDS3670
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V 5nC @ 10V 20 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 1.3A, 10V 480mOhm @ 1.3A, 10V 120mOhm @ 3.4A, 10V 32mOhm @ 6.3A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V 100V 100 V 100 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.3A 1.3A 3.4A (Ta) 6.3A (Ta)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Numéro de produit de base FDS36 FDS36 - -
Puissance - Max 900mW 900mW - -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V 153pF @ 50V 632 pF @ 50 V 2490 pF @ 50 V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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