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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDPF2710T
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDPF2710T - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDPF2710T
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDPF2710T
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FDPF2710T Datasheet.pdf
En stock: 3650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDPF2710T
Fairchild Semiconductor - FDPF2710T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDPF2710T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42.5mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 62.5W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7280 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 101 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDPF2710T

Attributs du produit FDPF2710T FDPF320N06L FDPF2710T FDPF33N25T
Modèle de produit FDPF2710T FDPF320N06L FDPF2710T FDPF33N25T
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7280 pF @ 25 V 1470 pF @ 25 V 7280 pF @ 25 V 2135 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42.5mOhm @ 25A, 10V 25mOhm @ 21A, 10V 42.5mOhm @ 25A, 10V 94mOhm @ 16.5A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 5V, 10V 10V 10V
Emballer Bulk Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 250 V 60 V 250 V 250 V
Dissipation de puissance (max) 62.5W (Tc) 26W (Tc) 62.5W (Tc) 37W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc) 21A (Tc) 25A (Tc) 33A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 101 nC @ 10 V 30.2 nC @ 10 V 101 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® UniFET™
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3

Fiche technique FDPF2710T PDF

Téléchargez FDPF2710T PDF DataSheets et Documentation Fairchild Semiconductor pour FDPF2710T - Fairchild Semiconductor.

Feuilles de données
FDPF2710T Datasheet.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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