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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDPF18N20FT
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDPF18N20FT - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDPF18N20FT
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDPF18N20FT
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FDPF18N20FT Datasheet.pdf
En stock: 5440

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDPF18N20FT
Fairchild Semiconductor - FDPF18N20FT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDPF18N20FT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 41W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDPF18N20FT

Attributs du produit FDPF18N20FT FDPF18N50 FDPF190N15A FDPF18N50
Modèle de produit FDPF18N20FT FDPF18N50 FDPF190N15A FDPF18N50
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 9A, 10V 265mOhm @ 9A, 10V 19mOhm @ 27.4A, 10V 265mOhm @ 9A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V 2860 pF @ 25 V 2685 pF @ 25 V 2860 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries UniFET™ UniFET™ PowerTrench® UniFET™
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Dissipation de puissance (max) 41W (Tc) 38.5W (Tc) 33W (Tc) 38.5W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Tension drain-source (Vdss) 200 V 500 V 150 V 500 V
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc) 18A (Tc) 27.4A (Tc) 18A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Bulk Bulk Tube Tube

Fiche technique FDPF18N20FT PDF

Téléchargez FDPF18N20FT PDF DataSheets et Documentation Fairchild Semiconductor pour FDPF18N20FT - Fairchild Semiconductor.

Feuilles de données
FDPF18N20FT Datasheet.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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