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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDD8445
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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FDD8445 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDD8445
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDD8445
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FDD8445.pdf
Notre certification
En stock: 5170

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FDD8445
Fairchild Semiconductor - FDD8445 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDD8445

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 79W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4050 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDD8445

Attributs du produit FDD8445 FDD8444 FDD8451 FDD8444L
Modèle de produit FDD8445 FDD8444 FDD8451 FDD8444L
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Dissipation de puissance (max) 79W (Tc) 153W (Tc) 30W (Tc) 153W (Tc)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc) 145A (Tc) 9A (Ta), 28A (Tc) 16A (Ta), 50A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V 116 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 60 nC @ 5 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7mOhm @ 50A, 10V 5.2mOhm @ 50A, 10V 24mOhm @ 9A, 10V 5.2mOhm @ 50A, 10V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4050 pF @ 25 V 6195 pF @ 25 V 990 pF @ 20 V 5530 pF @ 25 V

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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