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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDD6778A
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDD6778A - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDD6778A
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDD6778A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FDD6778A.pdf
État RoHS
En stock: 103430

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDD6778A
Fairchild Semiconductor - FDD6778A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDD6778A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 24W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 13 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Ta), 10A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDD6778A

Attributs du produit FDD6778A FDD6780 FDD6770A FDD6782A
Modèle de produit FDD6778A FDD6780 FDD6770A FDD6782A
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Ta), 10A (Tc) 16.5A (Ta), 30A (Tc) 24A (Ta), 50A (Tc) 20A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 13 V 1590 pF @ 13 V 2405 pF @ 13 V 1065 pF @ 13 V
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 10A, 10V 8.5mOhm @ 16.5A, 10V 4mOhm @ 24A, 10V 10.5mOhm @ 14.9A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 24W (Tc) 3.7W (Ta), 32.6W (Tc) 3.7W (Ta), 65W (Tc) 3.7W (Ta), 31W (Tc)
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak) D-PAK (TO-252) TO-252, (D-Pak)

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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