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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDD6685
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDD6685 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDD6685
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDD6685
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FDD6685.pdf
En stock: 3710

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDD6685
Fairchild Semiconductor - FDD6685 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDD6685

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1715 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 40A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDD6685

Attributs du produit FDD6685 FDD6688 FDD6688 FDD6685-G
Modèle de produit FDD6685 FDD6688 FDD6688 FDD6685-G
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 5 V 56 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 24 nC @ 5 V
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 11A, 10V 5mOhm @ 18A, 10V 5mOhm @ 18A, 10V 20mOhm @ 11A, 10V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta), 40A (Tc) 84A (Ta) 84A (Ta) 11A (Ta), 40A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta) 83W (Ta) 83W (Ta) 1.6W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1715 pF @ 15 V 3845 pF @ 15 V 3845 pF @ 15 V 1715 pF @ 15 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk -
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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