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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDD4685_F085
FDD4685_F085 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDD4685_F085 - Fairchild/ON Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDD4685_F085
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDD4685_F085
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 40V 32A DPAK
Description détaillée
Emballage
Fiche technique
FDD4685_F085.pdf
État RoHS
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
En stock: 4600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDD4685_F085
Fairchild/ON Semiconductor - FDD4685_F085 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild/ON Semiconductor - FDD4685_F085

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Tension - Test 2380pF @ 20V  
Tension - Ventilation D-PAK (TO-252AA)  
Vgs (th) (Max) @ Id 27 mOhm @ 8.4A, 10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Séries Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®  
État RoHS Tube  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4A (Ta), 32A (Tc)  
Polarisation TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Autres noms FDD4685_F085-5  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)  
Référence fabricant FDD4685_F085  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 27nC @ 5V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3V @ 250µA  
Fonction FET P-Channel  
Description élargie P-Channel 40V 8.4A (Ta), 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)  
Tension drain-source (Vdss) -  
La description MOSFET P-CH 40V 32A DPAK  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40V  
Ratio de capacité 83W (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild/ON Semiconductor FDD4685_F085

Attributs du produit FDD4685_F085 FDD4685 FDD5612 FDD5353
Modèle de produit FDD4685_F085 FDD4685 FDD5612 FDD5353
Fabricant Fairchild/ON Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Description élargie P-Channel 40V 8.4A (Ta), 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 27 mOhm @ 8.4A, 10V 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
État RoHS Tube - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3V @ 250µA 27 nC @ 5 V 11 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
Tension - Test 2380pF @ 20V - - -
Polarisation TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4A (Ta), 32A (Tc) 27mOhm @ 8.4A, 10V 55mOhm @ 5.4A, 10V 12.3mOhm @ 10.7A, 10V
La description MOSFET P-CH 40V 32A DPAK - - -
Ratio de capacité 83W (Tc) - - -
Autres noms FDD4685_F085-5 - - -
Séries Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Référence fabricant FDD4685_F085 - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40V 8.4A (Ta), 32A (Tc) 5.4A (Ta) 11.5A (Ta), 50A (Tc)
Tension - Ventilation D-PAK (TO-252AA) - - -
Tension drain-source (Vdss) - 40 V 60 V 60 V
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 27nC @ 5V 2380 pF @ 20 V 660 pF @ 30 V 3215 pF @ 30 V
Fonction FET P-Channel - - -

Fiche technique FDD4685_F085 PDF

Téléchargez FDD4685_F085 PDF DataSheets et Documentation Fairchild/ON Semiconductor pour FDD4685_F085 - Fairchild/ON Semiconductor.

Livret des spécifications
FDD4685_F085.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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