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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDD4141
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDD4141 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDD4141
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDD4141
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FDD4141.pdf
En stock: 3790

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDD4141
Fairchild Semiconductor - FDD4141 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDD4141

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.3mOhm @ 12.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta), 69W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2775 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.8A (Ta), 50A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDD4141

Attributs du produit FDD4141 FDD4243 FDD3N40TM FDD390N15ALZ
Modèle de produit FDD4141 FDD4243 FDD3N40TM FDD390N15ALZ
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.8A (Ta), 50A (Tc) 6.7A (Ta), 14A (Tc) 2A (Tc) 26A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta), 69W (Tc) 42W (Tc) 30W (Tc) 63W (Tc)
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 400 V 150 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 5V @ 250µA 2.8V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2775 pF @ 20 V 1550 pF @ 20 V 225 pF @ 25 V 1760 pF @ 75 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Séries PowerTrench® PowerTrench® UniFET™ PowerTrench®
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.3mOhm @ 12.7A, 10V 44mOhm @ 6.7A, 10V 3.4Ohm @ 1A, 10V 42mOhm @ 26A, 10V

Fiche technique FDD4141 PDF

Téléchargez FDD4141 PDF DataSheets et Documentation Fairchild Semiconductor pour FDD4141 - Fairchild Semiconductor.

Assemblage / origine PCN
Wafer Location 30/May/2023.pdf

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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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