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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDB8870
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDB8870 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FDB8870
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FDB8870
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
FDB8870.pdf
En stock: 31028

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDB8870
Fairchild Semiconductor - FDB8870 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FDB8870

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK (TO-263)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 35A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5200 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 132 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta), 160A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FDB8870

Attributs du produit FDB8870 FDB8876 FDB8878 FDB8832
Modèle de produit FDB8870 FDB8876 FDB8878 FDB8832
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta), 160A (Tc) 71A (Tc) 48A (Tc) 34A (Ta), 80A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Package composant fournisseur D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc) 70W (Tc) 47.3W (Tc) 300W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 132 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 265 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 35A, 10V 8.5mOhm @ 40A, 10V 14mOhm @ 40A, 10V 1.9mOhm @ 80A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5200 pF @ 15 V 1700 pF @ 15 V 1235 pF @ 15 V 11400 pF @ 15 V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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