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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - Single2N7002T
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2N7002T - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
2N7002T
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-2N7002T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523F
Description détaillée
Emballage
SC-89, SOT-490
Fiche technique
2N7002T.pdf
État RoHS
En stock: 4910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2N7002T
Fairchild Semiconductor - 2N7002T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - 2N7002T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-523F  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V  
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta)  
Package / Boîte SC-89, SOT-490  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 115mA (Ta)  
Numéro de produit de base 2N7002  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor 2N7002T

Attributs du produit 2N7002T 2N7002T 2N7002T-7-F 2N7002TA
Modèle de produit 2N7002T 2N7002T 2N7002T-7-F 2N7002TA
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Séries - - - -
Package composant fournisseur SOT-523F SC-89-3 SOT-523 SOT-23-3
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta) 200mW (Ta) 150mW (Ta) 330mW (Ta)
Package / Boîte SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490 SOT-523 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 115mA (Ta) 115mA (Ta) 115mA (Ta) 115mA (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V
Numéro de produit de base 2N7002 2N7002 2N7002 2N7002
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V 7.5Ohm @ 50mA, 5V 7.5Ohm @ 50mA, 5V 7.5Ohm @ 500mA, 10V

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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