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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleEPC8009
EPC
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

EPC8009 - EPC

Fabricant Modèle de produit
EPC8009
Fabricant
EPC
Allelco Modèle de produit
32D-EPC8009
Modèle ECAD
Description des pièces
GANFET N-CH 65V 4A DIE
Description détaillée
Emballage
Die
Fiche technique
eGaN® FET Brief.pdf
EPC8009.pdf
État RoHS
En stock: 20850

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques EPC8009
EPC - EPC8009 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à EPC - EPC8009

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant EPC  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) +6V, -4V  
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)  
Package composant fournisseur Die  
Séries eGaN®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 500mA, 5V  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte Die  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 52 pF @ 32.5 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.45 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 65 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de EPC EPC8009

Attributs du produit EPC8009 EPC8010 EPC4QI100N EPC3126G-1-LF
Modèle de produit EPC8009 EPC8010 EPC4QI100N EPC3126G-1-LF
Fabricant EPC EPC Intel PCA Electronics, Inc.
type de FET N-Channel N-Channel - -
Package composant fournisseur Die Die 100-PQFP (20x14) -
Séries eGaN® eGaN® EPC -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 5V - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 500mA, 5V 160mOhm @ 500mA, 5V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta) 4A (Ta) - -
Package / Boîte Die Die 100-BQFP -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 85°C -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tray -
Fonction FET - - - -
La technologie GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Gallium Nitride) - -
Vgs (Max) +6V, -4V +6V, -4V - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA - -
Tension drain-source (Vdss) 65 V 100 V - -
Dissipation de puissance (max) - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 52 pF @ 32.5 V 55 pF @ 50 V - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.45 nC @ 5 V 0.48 nC @ 5 V - -

Fiche technique EPC8009 PDF

Téléchargez EPC8009 PDF DataSheets et Documentation EPC pour EPC8009 - EPC.

Informations environnementales
EPC REACH.pdf EPC RoHS & Halogen Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Site 25/Jun/2021.pdf
Feuilles de données
eGaN® FET Brief.pdf EPC8009.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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