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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleEPC2206
EPC
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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EPC2206 - EPC

Fabricant Modèle de produit
EPC2206
Fabricant
EPC
Allelco Modèle de produit
32D-EPC2206
Modèle ECAD
Description des pièces
GANFET N-CH 80V 90A DIE
Emballage
Die
Fiche technique
EPC2206.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 10245

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques EPC2206
EPC - EPC2206 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à EPC - EPC2206

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant EPC  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 13mA  
Vgs (Max) +6V, -4V  
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)  
Package composant fournisseur Die  
Séries eGaN®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 29A, 5V  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte Die  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1940 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Ta)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de EPC EPC2206

Attributs du produit EPC2206 EPC2038 EPC2024 EPC2036
Modèle de produit EPC2206 EPC2038 EPC2024 EPC2036
Fabricant EPC EPC EPC EPC
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Ta) 500mA (Ta) 90A (Ta) 1.7A (Ta)
La technologie GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 29A, 5V 3.3Ohm @ 50mA, 5V 1.5mOhm @ 37A, 5V 65mOhm @ 1A, 5V
Dissipation de puissance (max) - - - -
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 5 V 0.044 nC @ 5 V - 0.91 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1940 pF @ 40 V 8.4 pF @ 50 V 2100 pF @ 20 V 90 pF @ 50 V
Vgs (Max) +6V, -4V +6V, -4V +6V, -4V +6V, -4V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte Die Die Die Die
Tension drain-source (Vdss) 80 V 100 V 40 V 100 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries eGaN® eGaN® eGaN® eGaN®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 5V 5V 5V
Package composant fournisseur Die Die Die Die
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 13mA 2.5V @ 20µA 2.5V @ 19mA 2.5V @ 600µA

Fiche technique EPC2206 PDF

Téléchargez EPC2206 PDF DataSheets et Documentation EPC pour EPC2206 - EPC.

Informations environnementales
EPC REACH.pdf EPC RoHS & Halogen Cert.pdf
Feuilles de données
EPC2206.pdf
Assemblage / origine PCN
Manufacturing Site Alternate 06/Jun/2023.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
Contactez nous si vous avez des questions.

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