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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs de pontRBV5010
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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RBV5010 - EIC SEMICONDUCTOR INC.

Fabricant Modèle de produit
RBV5010
Fabricant
EIC Semiconductor, Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-RBV5010
Modèle ECAD
Description des pièces
BRIGDE RECTIFIER 50A 1000V, CASE
Emballage
4-SIP, RBV-25
Fiche technique
RBV5000 - RBV5010.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 12500

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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques RBV5010
EIC SEMICONDUCTOR INC. - RBV5010 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à EIC SEMICONDUCTOR INC. - RBV5010

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant EIC Semiconductor, Inc.  
Tension - Inverse de crête (max) 1 kV  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1 V @ 25 A  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur RBV-25  
Séries -  
Package / Boîte 4-SIP, RBV-25  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bag  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type de diode Single Phase  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 1000 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 50 A  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH info available upon request
ECCN
HTSUS 8541.10.0000

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5010

Attributs du produit RBV5010 MSD200-08 GBJ2010 MB2S-E3/45
Modèle de produit RBV5010 MSD200-08 GBJ2010 MB2S-E3/45
Fabricant EIC SEMICONDUCTOR INC. Microsemi Corporation SMC Diode Solutions Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Package / Boîte 4-SIP, RBV-25 M3 4-ESIP TO-269AA, 4-BESOP
Tension - Inverse de crête (max) 1 kV 800 V 1 kV 200 V
Type de montage Through Hole Chassis Mount Through Hole Surface Mount
Emballer Bag Bulk Tube Tube
Package composant fournisseur RBV-25 M3 GBJ TO-269AA (MBS)
La technologie Standard Standard Standard Standard
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 1000 V 300 µA @ 800 V 5 µA @ 1000 V 5 µA @ 200 V
Séries - - - -
Type de diode Single Phase Three Phase Single Phase Single Phase
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1 V @ 25 A 1.55 V @ 300 A 1.1 V @ 20 A 1 V @ 400 mA
Courant - Rectifié moyenne (Io) 50 A 200 A 20 A 500 mA
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique RBV5010 PDF

Téléchargez RBV5010 PDF DataSheets et Documentation EIC SEMICONDUCTOR INC. pour RBV5010 - EIC SEMICONDUCTOR INC..

Fiche technique HTML
RBV5000 - RBV5010.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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