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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleMMFTP84
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MMFTP84 - Diotec Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MMFTP84
Fabricant
Diotec Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MMFTP84
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 130MA SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
MMFTP84.pdf
État RoHS
En stock: 859150

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MMFTP84
Diotec Semiconductor - MMFTP84 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diotec Semiconductor - MMFTP84

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diotec Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 130mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 250mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 25 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 130mA (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diotec Semiconductor MMFTP84

Attributs du produit MMFTP84 MMFTN20 MMFTN123 MMFT960T1G
Modèle de produit MMFTP84 MMFTN20 MMFTN123 MMFT960T1G
Fabricant Diotec Semiconductor Diotec Semiconductor Diotec Semiconductor onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 130mA, 10V 15Ohm @ 100mA, 10V 6Ohm @ 170mA, 10V 1.7Ohm @ 1A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 250mW (Ta) 300mW (Ta) 360mW 800mW (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 2.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-261-4, TO-261AA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Strip Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 25 V 15 pF @ 10 V 73 pF @ 25 V 65 pF @ 25 V
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-223 (TO-261)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 50 V 100 V 60 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 1.8V @ 1mA 2V @ 1mA 3.5V @ 1mA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 130mA (Ta) 100mA (Ta) 170mA (Ta) 300mA (Tc)
Séries - - - -

Fiche technique MMFTP84 PDF

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Feuilles de données
MMFTP84.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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