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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (bjt) - tableaux, pré-biaisésBCR08PN
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BCR08PN - Diotec Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
BCR08PN
Fabricant
Diotec Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-BCR08PN
Modèle ECAD
Description des pièces
DIGITAL TR SOT-363 50V 100MA
Description détaillée
Emballage
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
BCRxxPN Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 673450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BCR08PN
Diotec Semiconductor - BCR08PN Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diotec Semiconductor - BCR08PN

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diotec Semiconductor  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 60V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Package composant fournisseur SOT-363  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47kOhms  
Résistance - Base (R1) 2.2kOhms  
Puissance - Max 250mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte 6-VSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 170MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA  
Numéro de produit de base BCR08  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diotec Semiconductor BCR08PN

Attributs du produit BCR08PN BCR08AS-12AT BCR08BT1G BCR100B-20
Modèle de produit BCR08PN BCR08AS-12AT BCR08BT1G BCR100B-20
Fabricant Diotec Semiconductor Renesas Electronics Corporation Hamlin / Littelfuse MITSUBISHI
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA - - -
Fréquence - Transition 170MHz - - -
Package composant fournisseur SOT-363 - - -
Emballer Tape & Reel (TR) - - -
Numéro de produit de base BCR08 - - -
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) - - -
Résistance - Base (R1) 2.2kOhms - - -
Puissance - Max 250mW - - -
Package / Boîte 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 - - -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 60V - - -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47kOhms - - -
Séries - - - -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA - - -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) - - -

Fiche technique BCR08PN PDF

Téléchargez BCR08PN PDF DataSheets et Documentation Diotec Semiconductor pour BCR08PN - Diotec Semiconductor.

Feuilles de données
BCRxxPN Datasheet.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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