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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleBC558C
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BC558C - Diotec Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
BC558C
Fabricant
Diotec Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-BC558C
Modèle ECAD
Description des pièces
BJT TO-92 30V 100MA
Description détaillée
Emballage
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Fiche technique
BC55x Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 1613850

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BC558C
Diotec Semiconductor - BC558C Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diotec Semiconductor - BC558C

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diotec Semiconductor  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 30 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA  
Transistor Type PNP  
Package composant fournisseur TO-92  
Séries -  
Puissance - Max 500 mW  
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Fréquence - Transition 150MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 15nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diotec Semiconductor BC558C

Attributs du produit BC558C BC558BTA BC559BTA BC558A
Modèle de produit BC558C BC558BTA BC559BTA BC558A
Fabricant Diotec Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi Diotec Semiconductor
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V 110 @ 2mA, 5V
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 30 V 30 V 30 V 30 V
Séries - - - -
Transistor Type PNP PNP PNP PNP
Puissance - Max 500 mW 500 mW 500 mW 500 mW
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA
Fréquence - Transition 150MHz 150MHz 150MHz 150MHz
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-92 TO-92-3 TO-92-3 TO-92
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 15nA 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) 15nA

Fiche technique BC558C PDF

Téléchargez BC558C PDF DataSheets et Documentation Diotec Semiconductor pour BC558C - Diotec Semiconductor.

Feuilles de données
BC55x Datasheet.pdf

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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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