Spécifications
Spécifications techniques 2N7000
Diotec Semiconductor - 2N7000 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diotec Semiconductor - 2N7000
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Fabricant |
Diotec Semiconductor |
|
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 1mA |
|
| Vgs (Max) |
±20V |
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| La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
|
| Package composant fournisseur |
TO-92 |
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| Séries |
- |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
5Ohm @ 500mA, 10V |
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| Dissipation de puissance (max) |
350mW (Ta) |
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| Package / Boîte |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Emballer |
Strip |
|
| Température de fonctionnement |
150°C (TJ) |
|
| Type de montage |
Through Hole |
|
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
60 pF @ 25 V |
|
| type de FET |
N-Channel |
|
| Fonction FET |
- |
|
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) |
4.5V, 10V |
|
| Tension drain-source (Vdss) |
60 V |
|
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C |
200mA (Ta) |
|
Mode de transport
Délai de livraison
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méthode de livraison
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| Pays communs Référence du temps logistique |
| Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
| Amérique |
États-Unis |
5 |
| Brésil |
7 |
| L'Europe |
Allemagne |
5 |
| Royaume-Uni |
4 |
| Italie |
5 |
| Océanie |
Australie |
6 |
| Nouvelle-Zélande |
5 |
| Asie |
Inde |
4 |
| Japon |
4 |
| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Note:
- Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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2N7000RLRAonsemiMOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
2N7001TDCKRTexas InstrumentsIC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
2N7000LT1GAMI Semiconductor/onsemi
2N7000 MOSFreescale / NXP Semiconductors
2N7000NTE Electronics, IncMOSFET N-CHANNEL 60V 200MA TO92