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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXMP6A17KTC
ZXMP6A17KTC Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMP6A17KTC - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMP6A17KTC
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMP6A17KTC
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
ZXMP6A17K.pdf
État RoHS
En stock: 131120

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMP6A17KTC
Diodes Incorporated - ZXMP6A17KTC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMP6A17KTC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.11W (Ta)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 637 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.7 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.4A (Ta)  
Numéro de produit de base ZXMP6A17  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMP6A17KTC

Attributs du produit ZXMP6A17KTC ZXMP7A17GQTA ZXMP6A17E6TA ZXMP6A17GQTA
Modèle de produit ZXMP6A17KTC ZXMP7A17GQTA ZXMP6A17E6TA ZXMP6A17GQTA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.7 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 17.7 nC @ 10 V 17.7 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base ZXMP6A17 ZXMP7A17 ZXMP6A17 ZXMP6A17
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.3A, 10V 160mOhm @ 2.1A, 10V 125mOhm @ 2.3A, 10V 125mOhm @ 2.2A, 10V
Package composant fournisseur TO-252-3 SOT-223-3 SOT-26 SOT-223-3
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA SOT-23-6 TO-261-4, TO-261AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.4A (Ta) 2.6A (Ta) 2.3A (Ta) 3A (Ta)
Dissipation de puissance (max) 2.11W (Ta) 2W (Ta) 1.1W (Ta) 2W (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 60 V 70 V 60 V 60 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 637 pF @ 30 V 635 pF @ 40 V 637 pF @ 30 V 637 pF @ 30 V
Fonction FET - - - -
Séries - - Automotive, AEC-Q101 -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

Fiche technique ZXMP6A17KTC PDF

Téléchargez ZXMP6A17KTC PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMP6A17KTC - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Autre
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Die Layer Add 30/Nov/2018.pdf
Feuilles de données
ZXMP6A17K.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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