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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxZXMP6A16DN8TC
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMP6A16DN8TC - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMP6A16DN8TC
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMP6A16DN8TC
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
ZXMP6A16DN8TC.pdf
État RoHS
En stock: 97280

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMP6A16DN8TC
Diodes Incorporated - ZXMP6A16DN8TC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMP6A16DN8TC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.9A, 10V  
Puissance - Max 1.25W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1021pF @ 30V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24.2nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.9A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base ZXMP6A16  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMP6A16DN8TC

Attributs du produit ZXMP6A16DN8TC ZXMP6A17DN8TA ZXMP6A17DN8QTC ZXMP6A16DN8TA
Modèle de produit ZXMP6A16DN8TC ZXMP6A17DN8TA ZXMP6A17DN8QTC ZXMP6A16DN8TA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24.2nC @ 10V 17.7nC @ 10V 17.7nC @ 10V 12.1nC @ 5V
Puissance - Max 1.25W 1.81W 1.25W (Ta) 2.15W
Tension drain-source (Vdss) 60V 60V 60V 60V
Numéro de produit de base ZXMP6A16 ZXMP6A17 ZXMP6A17 ZXMP6A16
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.9A 2.7A 2.7A (Ta) 3.9A (Ta)
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.9A, 10V 125mOhm @ 2.3A, 10V 125mOhm @ 2.3A, 10V 85mOhm @ 2.9A, 10V
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - - Automotive, AEC-Q101
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - Logic Level Gate - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1021pF @ 30V 637pF @ 30V 637pF @ 30V 1021pF @ 30V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique ZXMP6A16DN8TC PDF

Téléchargez ZXMP6A16DN8TC PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMP6A16DN8TC - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Die Layer Add 30/Nov/2018.pdf
Feuilles de données
ZXMP6A16DN8TC.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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