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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXMN6A25GTA
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMN6A25GTA - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMN6A25GTA
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMN6A25GTA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
ZXMN6A25G.pdf
État RoHS
En stock: 72160

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMN6A25GTA
Diodes Incorporated - ZXMN6A25GTA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMN6A25GTA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1063 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20.4 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.8A (Ta)  
Numéro de produit de base ZXMN6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMN6A25GTA

Attributs du produit ZXMN6A25GTA ZXMN6A25K ZXMN6A11ZTA ZXMN6A11GTA
Modèle de produit ZXMN6A25GTA ZXMN6A25K ZXMN6A11ZTA ZXMN6A11GTA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Numéro de produit de base ZXMN6 ZXMN6 ZXMN6 ZXMN6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.8A (Ta) 7A (Ta) 2.7A (Ta) 3.1A (Ta)
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20.4 nC @ 10 V 20.4 nC @ 10 V 5.7 nC @ 10 V 5.7 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1063 pF @ 30 V 1063 pF @ 30 V 330 pF @ 40 V 330 pF @ 40 V
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2.11W (Ta) 1.5W (Ta) 2W (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 3V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-243AA TO-261-4, TO-261AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur SOT-223-3 TO-252-3 SOT-89-3 SOT-223-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.6A, 10V 50mOhm @ 3.6A, 10V 120mOhm @ 2.5A, 10V 120mOhm @ 2.5A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique ZXMN6A25GTA PDF

Téléchargez ZXMN6A25GTA PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMN6A25GTA - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Conception / spécification PCN
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
Feuilles de données
ZXMN6A25G.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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