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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXMN6A09GTA
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMN6A09GTA - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMN6A09GTA
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMN6A09GTA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
ZXMN6A09GTA.pdf
État RoHS
En stock: 47610

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMN6A09GTA
Diodes Incorporated - ZXMN6A09GTA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMN6A09GTA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 8.2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1407 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24.2 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.4A (Ta)  
Numéro de produit de base ZXMN6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMN6A09GTA

Attributs du produit ZXMN6A09GTA ZXMN6A08KTC ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GQTA
Modèle de produit ZXMN6A09GTA ZXMN6A08KTC ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GQTA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base ZXMN6 ZXMN6 ZXMN6 ZXMN6
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2.12W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.4A (Ta) 5.36A (Ta) 3.8A (Ta) 3.8A (Ta)
Séries - - - Automotive, AEC-Q101
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1407 pF @ 40 V 459 pF @ 40 V 459 pF @ 40 V 459 pF @ 40 V
Package composant fournisseur SOT-223-3 TO-252-3 SOT-223-3 SOT-223-3
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24.2 nC @ 5 V 5.8 nC @ 10 V 5.8 nC @ 10 V 5.8 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 8.2A, 10V 80mOhm @ 4.8A, 10V 80mOhm @ 4.8A, 10V 80mOhm @ 4.8A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique ZXMN6A09GTA PDF

Téléchargez ZXMN6A09GTA PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMN6A09GTA - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Conception / spécification PCN
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
Feuilles de données
ZXMN6A09GTA.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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