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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxZXMN3G32DN8TA
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMN3G32DN8TA - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMN3G32DN8TA
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMN3G32DN8TA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
ZXMN3G32DN8.pdf
État RoHS
En stock: 51680

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMN3G32DN8TA
Diodes Incorporated - ZXMN3G32DN8TA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMN3G32DN8TA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V  
Puissance - Max 1.8W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 472pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base ZXMN3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMN3G32DN8TA

Attributs du produit ZXMN3G32DN8TA ZXMN3F31DN8TA ZXMN4A06GTA MOS ZXMN3F31DN8
Modèle de produit ZXMN3G32DN8TA ZXMN3F31DN8TA ZXMN4A06GTA MOS ZXMN3F31DN8
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 472pF @ 15V 608pF @ 15V - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V 24mOhm @ 7A, 10V - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V - -
Puissance - Max 1.8W 1.8W - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - -
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA - -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Numéro de produit de base ZXMN3 ZXMN3 - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A 5.7A - -
Séries - - - -
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V 12.9nC @ 10V - -

Fiche technique ZXMN3G32DN8TA PDF

Téléchargez ZXMN3G32DN8TA PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMN3G32DN8TA - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Conception / spécification PCN
Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013.pdf
Feuilles de données
ZXMN3G32DN8.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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