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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXMN3A04KTC
ZXMN3A04KTC Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMN3A04KTC - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMN3A04KTC
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMN3A04KTC
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Description détaillée
Emballage
6-UDFN Exposed Pad
Fiche technique
ZXMN3A04KTC.pdf
État RoHS
En stock: 56710

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMN3A04KTC
Diodes Incorporated - ZXMN3A04KTC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMN3A04KTC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur U-DFN2020-6 (Type B)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.15W (Ta)  
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1890 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36.8 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Ta)  
Numéro de produit de base ZXMN3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMN3A04KTC

Attributs du produit ZXMN3A04KTC ZXMN3A14FTA ZXMN3A03E6TA ZXMN3A14FQTA
Modèle de produit ZXMN3A04KTC ZXMN3A14FTA ZXMN3A03E6TA ZXMN3A14FQTA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1890 pF @ 15 V 448 pF @ 15 V 600 pF @ 25 V 448 pF @ 15 V
Numéro de produit de base ZXMN3 ZXMN3 ZXMN3 ZXMN3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36.8 nC @ 10 V 8.6 nC @ 10 V 12.6 nC @ 10 V 8.6 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 2.15W (Ta) 1W (Ta) 1.1W (Ta) 1.5W (Ta)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250mA 2.2V @ 250µA 1V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-6 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package composant fournisseur U-DFN2020-6 (Type B) SOT-23-3 SOT-23-6 SOT-23-3
Séries Automotive, AEC-Q101 - - Automotive, AEC-Q101
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 12A, 10V 65mOhm @ 3.2A, 10V 50mOhm @ 7.8A, 10V 65mOhm @ 3.2A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Ta) 3.2A (Ta) 3.7A (Ta) 3.9A (Ta)

Fiche technique ZXMN3A04KTC PDF

Téléchargez ZXMN3A04KTC PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMN3A04KTC - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Feuilles de données
ZXMN3A04KTC.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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ZXMN3A04KTC

Diodes Incorporated
32D-ZXMN3A04KTC

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