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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXMN10A25K
ZXMN10A25K Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMN10A25K - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMN10A25K
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMN10A25K
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
ZXMN10A25K.pdf
En stock: 5280

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMN10A25K
Diodes Incorporated - ZXMN10A25K Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMN10A25K

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.11W (Ta)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 859 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.16 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMN10A25K

Attributs du produit ZXMN10A25K ZXMN10B08E6TA ZXMN10A25GTA ZXMN10A11GTA
Modèle de produit ZXMN10A25K ZXMN10B08E6TA ZXMN10A25GTA ZXMN10A11GTA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-252-3 SOT-26 SOT-223-3 SOT-223-3
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SOT-23-6 TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.16 nC @ 10 V 9.2 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 5.4 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Ta) 1.6A (Ta) 2.9A (Ta) 1.7A (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 859 pF @ 50 V 497 pF @ 50 V 859 pF @ 50 V 274 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.9A, 10V 230mOhm @ 1.6A, 10V 125mOhm @ 2.9A, 10V 350mOhm @ 2.6A, 10V
Séries - - - -
Dissipation de puissance (max) 2.11W (Ta) 1.1W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 4.3V, 10V 10V 6V, 10V

Fiche technique ZXMN10A25K PDF

Téléchargez ZXMN10A25K PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMN10A25K - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Feuilles de données
ZXMN10A25K.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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