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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxZXMC4559DN8TC
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMC4559DN8TC - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMC4559DN8TC
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMC4559DN8TC
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
ZXMC4559DN8TA.pdf
État RoHS
En stock: 4590

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMC4559DN8TC
Diodes Incorporated - ZXMC4559DN8TC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMC4559DN8TC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.5A, 10V  
Puissance - Max 2.1W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1063pF @ 30V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.6A, 2.6A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base ZXMC4559  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMC4559DN8TC

Attributs du produit ZXMC4559DN8TC ZXMC6A09DN8TA ZXMC4A16DN8TC ZXMC3AMCTA
Modèle de produit ZXMC4559DN8TC ZXMC6A09DN8TA ZXMC4A16DN8TC ZXMC3AMCTA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Tension drain-source (Vdss) 60V 60V 40V 30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base ZXMC4559 ZXMC6A09 ZXMC4A16 ZXMC3
Puissance - Max 2.1W 1.8W 2.1W 1.7W
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO DFN3020B-8
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-WDFN Exposed Pad
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1063pF @ 30V 1407pF @ 40V 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.5A, 10V 45mOhm @ 8.2A, 10V 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V 120mOhm @ 2.5A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.6A, 2.6A 3.9A, 3.7A 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) 2.9A, 2.1A
Séries - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 10V 24.2nC @ 10V 17nC @ 10V 3.9nC @ 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250mA (Min) 3V @ 250µA
Configuration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel Complementary N and P-Channel

Fiche technique ZXMC4559DN8TC PDF

Téléchargez ZXMC4559DN8TC PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMC4559DN8TC - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Feuilles de données
ZXMC4559DN8TA.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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