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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxZXMC3A16DN8QTA
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXMC3A16DN8QTA - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXMC3A16DN8QTA
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXMC3A16DN8QTA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 0
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
ZXMC3A16DN8QTA.pdf
En stock: 48320

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXMC3A16DN8QTA
Diodes Incorporated - ZXMC3A16DN8QTA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXMC3A16DN8QTA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 9A, 10V, 48mOhm @ 4.2A, 10V  
Puissance - Max 1.25W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 796pF @ 25V, 970pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V, 24.9nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.4A (Ta), 5.4A (Ta)  
Configuration N and P-Channel Complementary  
Numéro de produit de base ZXMC3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXMC3A16DN8QTA

Attributs du produit ZXMC3A16DN8QTA ZXMC3A17DN8TC ZXMC3A16DN8TC ZXMC10A816N8TC
Modèle de produit ZXMC3A16DN8QTA ZXMC3A17DN8TC ZXMC3A16DN8TC ZXMC10A816N8TC
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 9A, 10V, 48mOhm @ 4.2A, 10V 50mOhm @ 7.8A, 10V 35mOhm @ 9A, 10V 230mOhm @ 1A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 796pF @ 25V, 970pF @ 15V 600pF @ 25V 796pF @ 25V 497pF @ 50V
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Séries Automotive, AEC-Q101 - - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base ZXMC3 ZXMC3 ZXMC3 ZXMC10
Configuration N and P-Channel Complementary N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Puissance - Max 1.25W (Ta) 1.25W 1.25W 1.8W
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.4A (Ta), 5.4A (Ta) 4.1A, 3.4A 4.9A, 4.1A 2A
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 100V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) 2.4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V, 24.9nC @ 10V 12.2nC @ 10V 17.5nC @ 10V 9.2nC @ 10V

Fiche technique ZXMC3A16DN8QTA PDF

Téléchargez ZXMC3A16DN8QTA PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXMC3A16DN8QTA - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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