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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXM62P02E6TA
ZXM62P02E6TA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXM62P02E6TA - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXM62P02E6TA
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXM62P02E6TA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6
Fiche technique
ZXM62P02E6.pdf
État RoHS
En stock: 153520

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXM62P02E6TA
Diodes Incorporated - ZXM62P02E6TA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXM62P02E6TA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.1W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 320 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.7V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.3A (Ta)  
Numéro de produit de base ZXM62P02  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXM62P02E6TA

Attributs du produit ZXM62P02E6TA ZXM62P03GTA ZXM62N03E6TA ZXM62P03E6TA
Modèle de produit ZXM62P02E6TA ZXM62P03GTA ZXM62N03E6TA ZXM62P03E6TA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 4.5V 150mOhm @ 1.6A, 10V 110mOhm @ 2.2A, 10V 150mOhm @ 1.6A, 10V
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±12V ±20V - ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.3A (Ta) 2.9A (Ta), 4A (Tc) 3.2A (Ta) 1.5A (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - - -
Dissipation de puissance (max) 1.1W (Ta) 2W (Ta) - 625mW (Ta)
Package composant fournisseur SOT-23-6 SOT-223-3 SOT-23-6 SOT-26
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 4.5 V 10.2 nC @ 10 V 9.6 nC @ 10 V 10.2 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.7V, 4.5V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Digi-Reel® Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 30 V 30 V
Numéro de produit de base ZXM62P02 - - ZXM62P03
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte SOT-23-6 TO-261-4, TO-261AA SOT-23-6 SOT-23-6
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 320 pF @ 15 V 330 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -

Fiche technique ZXM62P02E6TA PDF

Téléchargez ZXM62P02E6TA PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXM62P02E6TA - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Conception / spécification PCN
Leadframe Material Update 09/Apr/2014.pdf Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
Feuilles de données
ZXM62P02E6.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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ZXM62P02E6TA

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