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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZXM61N03FTA
ZXM61N03FTA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZXM61N03FTA - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZXM61N03FTA
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZXM61N03FTA
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
ZXM61N03FTC.pdf
État RoHS
En stock: 197030

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZXM61N03FTA
Diodes Incorporated - ZXM61N03FTA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZXM61N03FTA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 910mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 625mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.1 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.4A (Ta)  
Numéro de produit de base ZXM61N03  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZXM61N03FTA

Attributs du produit ZXM61N03FTA ZXM61P02FTC ZXM41N10FTA ZXM61P02FTA
Modèle de produit ZXM61N03FTA ZXM61P02FTC ZXM41N10FTA ZXM61P02FTA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 910mA, 10V 600mOhm @ 610mA, 4.5V 8Ohm @ 150mA, 4.5V 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.1 nC @ 10 V 3.5 nC @ 4.5 V - 3.5 nC @ 4.5 V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dissipation de puissance (max) 625mW (Ta) 625mW (Ta) 360mW (Ta) 625mW (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±12V ±40V ±12V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 1mA 1.5V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base ZXM61N03 - - ZXM61P02
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.4A (Ta) 900mA (Ta) 170mA (Ta) 900mA (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V 150 pF @ 15 V 25 pF @ 25 V 150 pF @ 15 V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 100 V 20 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V 3V, 4.5V 2.7V, 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique ZXM61N03FTA PDF

Téléchargez ZXM61N03FTA PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZXM61N03FTA - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Plating Site Add 24/Feb/2017.pdf
Feuilles de données
ZXM61N03FTC.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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ZXM61N03FTA

Diodes Incorporated
32D-ZXM61N03FTA

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