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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleZVN2120A
ZVN2120A Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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ZVN2120A - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZVN2120A
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZVN2120A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
Emballage
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Fiche technique
ZVN2120A.pdf
Notre certification
En stock: 3930

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques ZVN2120A
Diodes Incorporated - ZVN2120A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZVN2120A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-92  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 250mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta)  
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 85 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180mA (Ta)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZVN2120A

Attributs du produit ZVN2120A ZVN3306A ZVN3306ASTZ ZVN2110A
Modèle de produit ZVN2120A ZVN3306A ZVN3306ASTZ ZVN2110A
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 250mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 4Ohm @ 1A, 10V
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 2.4V @ 1mA 2.4V @ 1mA 2.4V @ 1mA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 85 pF @ 25 V 35 pF @ 18 V 35 pF @ 18 V 75 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta) 625mW (Ta) 625mW (Ta) 700mW (Ta)
Séries - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180mA (Ta) 270mA (Ta) 270mA (Ta) 320mA (Ta)
Package composant fournisseur TO-92 TO-92 E-Line (TO-92 compatible) TO-92
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 60 V 60 V 100 V
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) E-Line-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Fiche technique ZVN2120A PDF

Téléchargez ZVN2120A PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZVN2120A - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Feuilles de données
ZVN2120A.pdf

Mode de transport

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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ZVN2120A

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