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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (BJT) - tableauxZDT649TA
ZDT649TA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ZDT649TA - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
ZDT649TA
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-ZDT649TA
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS 2NPN 25V 2A SM8
Description détaillée
Emballage
SOT-223-8
Fiche technique
ZDT649.pdf
En stock: 50680

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ZDT649TA
Diodes Incorporated - ZDT649TA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - ZDT649TA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 25V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A  
Transistor Type 2 NPN (Dual)  
Package composant fournisseur SM8  
Séries -  
Puissance - Max 2.75W  
Emballage Cut Tape (CT)  
Package / Boîte SOT-223-8  
Autres noms ZDT649
ZDT649CT
 
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)  
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant  
Fréquence - Transition 240MHz  
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 25V 2A 240MHz 2.75W Surface Mount SM8  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 2V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 2A  
Numéro de pièce de base ZDT649  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated ZDT649TA

Attributs du produit ZDT649TA ZDT6718QTA ZDT6758TA ZDT1049TA
Modèle de produit ZDT649TA ZDT6718QTA ZDT6758TA ZDT1049TA
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Fréquence - Transition 240MHz 140MHz, 180MHz 50MHz 180MHz
Numéro de pièce de base ZDT649 - - -
Puissance - Max 2.75W 2W 2.75W 2.75W
Séries - - - -
Autres noms ZDT649
ZDT649CT
- - -
Package / Boîte SOT-223-8 SOT-223-8 SOT-223-8 SOT-223-8
Transistor Type 2 NPN (Dual) NPN, PNP NPN, PNP 2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A 200mV @ 50mA, 2.5A / 220mV @ 50mA, 1.5A 500mV @ 10mA, 100mA 220mV @ 50mA, 4A
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 25V 2A 240MHz 2.75W Surface Mount SM8 - - -
Emballage Cut Tape (CT) - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur SM8 SM-8 SM8 SM8
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 25V 20V 400V 25V
Courant - Collecteur (Ic) (max) 2A 2A, 1.5A 500mA 5A
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 2V 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V 40 @ 200mA, 10V 300 @ 1A, 2V
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant - - -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA 100nA (ICBO) 10nA

Fiche technique ZDT649TA PDF

Téléchargez ZDT649TA PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour ZDT649TA - Diodes Incorporated.

Livret des spécifications
ZDT649.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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