Spécifications
Spécifications techniques MMBT123S-7
Diodes Incorporated - MMBT123S-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - MMBT123S-7
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Fabricant |
Diodes Incorporated |
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| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) |
18V |
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| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
500mV @ 30mA, 300mA |
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| Transistor Type |
NPN |
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| Package composant fournisseur |
SOT-23-3 |
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| Séries |
Automotive, AEC-Q101 |
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| Puissance - Max |
300mW |
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| Emballage |
Tape & Reel (TR) |
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| Package / Boîte |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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| Autres noms |
MMBT123SDITR |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Type de montage |
Surface Mount |
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| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
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| Statut sans plomb / Statut RoHS |
Contains lead / RoHS non-compliant |
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| Fréquence - Transition |
100MHz |
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| Description détaillée |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 18V 1A 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 |
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| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
150 @ 100mA, 1V |
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| Courant - Collecteur Cutoff (Max) |
1µA (ICBO) |
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| Courant - Collecteur (Ic) (max) |
1A |
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| Numéro de pièce de base |
MMBT123S |
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Mode de transport
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| Pays communs Référence du temps logistique |
| Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
| Amérique |
États-Unis |
5 |
| Brésil |
7 |
| L'Europe |
Allemagne |
5 |
| Royaume-Uni |
4 |
| Italie |
5 |
| Océanie |
Australie |
6 |
| Nouvelle-Zélande |
5 |
| Asie |
Inde |
4 |
| Japon |
4 |
| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Note:
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MMBT1616ACJ
MMBR951LT1GAMI Semiconductor/onsemi
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