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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (bjt) - simple, pré-biaiséDRDPB26W-7
DRDPB26W-7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DRDPB26W-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DRDPB26W-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DRDPB26W-7
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
DRDzzzzW.pdf
État RoHS
En stock: 5050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DRDPB26W-7
Diodes Incorporated - DRDPB26W-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DRDPB26W-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA  
Transistor Type PNP - Pre-Biased + Diode  
Package composant fournisseur SOT-363  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 4.7 kOhms  
Résistance - Base (R1) 220 Ohms  
Puissance - Max 200 mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 200 MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 47 @ 50mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 600 mA  
Numéro de produit de base DRDPB26  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DRDPB26W-7

Attributs du produit DRDPB26W-7 DRDNB16W-7 UNR9213J0L MUN5232T1G
Modèle de produit DRDPB26W-7 DRDNB16W-7 UNR9213J0L MUN5232T1G
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Panasonic Electronic Components onsemi
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 4.7 kOhms 10 kOhms 47 kOhms 4.7 kOhms
Courant - Collecteur (Ic) (max) 600 mA 600 mA 100 mA 100 mA
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SC-89, SOT-490 SC-70, SOT-323
Séries - - - -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Transistor Type PNP - Pre-Biased + Diode NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 47 @ 50mA, 5V 56 @ 50mA, 5V 80 @ 5mA, 10V 15 @ 5mA, 10V
Puissance - Max 200 mW 200 mW 125 mW 202 mW
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base DRDPB26 DRDNB16 UNR9213 MUN5232
Fréquence - Transition 200 MHz 200 MHz 150 MHz -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Package composant fournisseur SOT-363 SOT-363 SSMini3-F1 SC-70-3 (SOT323)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Résistance - Base (R1) 220 Ohms 1 kOhms 47 kOhms 4.7 kOhms
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique DRDPB26W-7 PDF

Téléchargez DRDPB26W-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DRDPB26W-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Conception / spécification PCN
Bond Wire 16/Sept/2008.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Source Chgs 9/Mar/2018.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 28/May/2020.pdf
Feuilles de données
DRDzzzzW.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DRDPB26W-7

Diodes Incorporated
32D-DRDPB26W-7

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