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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMT6015LPS-13
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMT6015LPS-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMT6015LPS-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMT6015LPS-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
DMT6015LPS.pdf
État RoHS
En stock: 111180

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMT6015LPS-13
Diodes Incorporated - DMT6015LPS-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMT6015LPS-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerDI5060-8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.16W (Ta)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1103 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18.9 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.6A (Ta), 31A (Tc)  
Numéro de produit de base DMT6015  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMT6015LPS-13

Attributs du produit DMT6015LPS-13 DMT6013LFDF-7 DMT6010LPS-13 DMT6016LPS-13
Modèle de produit DMT6015LPS-13 DMT6013LFDF-7 DMT6010LPS-13 DMT6016LPS-13
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.6A (Ta), 31A (Tc) 10A (Ta) 13.5A (Ta), 80A (Tc) 10.6A (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1103 pF @ 30 V 1081 pF @ 30 V 2090 pF @ 30 V 864 pF @ 30 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Numéro de produit de base DMT6015 DMT6013 DMT6010 DMT6016
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 10A, 10V 15mOhm @ 8.5A, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 16mOhm @ 10A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18.9 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 41.3 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Séries - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte 8-PowerTDFN 6-UDFN Exposed Pad 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Package composant fournisseur PowerDI5060-8 U-DFN2020-6 (Type F) PowerDI5060-8 PowerDI5060-8
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 1.16W (Ta) 900mW (Ta) 2.2W (Ta), 113W (Tc) 1.23W (Ta)

Fiche technique DMT6015LPS-13 PDF

Téléchargez DMT6015LPS-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMT6015LPS-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Feuilles de données
DMT6015LPS.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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