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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMP58D0LFB-7
DMP58D0LFB-7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMP58D0LFB-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMP58D0LFB-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMP58D0LFB-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN
Description détaillée
Emballage
3-UFDFN
Fiche technique
DMP58D0LFB-7.pdf
État RoHS
En stock: 288750

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMP58D0LFB-7
Diodes Incorporated - DMP58D0LFB-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMP58D0LFB-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur X1-DFN1006-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 100mA, 5V  
Dissipation de puissance (max) 470mW (Ta)  
Package / Boîte 3-UFDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 27 pF @ 25 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 50 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180mA (Ta)  
Numéro de produit de base DMP58  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMP58D0LFB-7

Attributs du produit DMP58D0LFB-7 DMP45H21DHE-13 DMP56D0UFB-7B DMP6023LFGQ-7
Modèle de produit DMP58D0LFB-7 DMP45H21DHE-13 DMP56D0UFB-7B DMP6023LFGQ-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Numéro de produit de base DMP58 DMP45 DMP56 DMP6023
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 5V 10V 2.5V, 4V 4.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 27 pF @ 25 V 1003 pF @ 25 V 50.54 pF @ 25 V 2569 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (max) 470mW (Ta) 12.5W (Tc) 425mW (Ta) 1W (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±8V ±20V
Package / Boîte 3-UFDFN TO-261-4, TO-261AA 3-UFDFN 8-PowerVDFN
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries - - - Automotive, AEC-Q101
Package composant fournisseur X1-DFN1006-3 SOT-223-3 X1-DFN1006-3 POWERDI3333-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180mA (Ta) 600mA (Tc) 200mA (Ta) 7.7A (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 5V @ 250µA 1.2V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 100mA, 5V 21Ohm @ 300mA, 10V 6Ohm @ 100mA, 4V 25mOhm @ 5A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 50 V 450 V 50 V 60 V

Fiche technique DMP58D0LFB-7 PDF

Téléchargez DMP58D0LFB-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMP58D0LFB-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018.pdf
Conception / spécification PCN
DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 17/Feb/2022.pdf
PCN Autre
Subs 2-17-2023.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DMP58D0LFB-7

Diodes Incorporated
32D-DMP58D0LFB-7

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