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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMP3099LQ-7
DMP3099LQ-7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMP3099LQ-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMP3099LQ-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMP3099LQ-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
DMP3099LQ.pdf
État RoHS
En stock: 393400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMP3099LQ-7
Diodes Incorporated - DMP3099LQ-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMP3099LQ-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.08W  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 563 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.8A (Ta)  
Numéro de produit de base DMP3099  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMP3099LQ-7

Attributs du produit DMP3099LQ-7 DMP3105LVT-7 DMP3099L-7 DMP3120L-7
Modèle de produit DMP3099LQ-7 DMP3105LVT-7 DMP3099L-7 DMP3120L-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Numéro de produit de base DMP3099 DMP3105 DMP3099 DMP3120
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2.1V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 1.08W 1.15W (Ta) 1.08W (Ta) 1.4W (Ta)
Package composant fournisseur SOT-23-3 TSOT-26 SOT-23-3 SOT-23-3
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 563 pF @ 25 V 839 pF @ 15 V 563 pF @ 25 V 285 pF @ 15 V
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±12V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 2.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.8A, 10V 75mOhm @ 4.2A, 10V 65mOhm @ 3.8A, 10V 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V 19.8 nC @ 10 V 5.2 nC @ 4.5 V 6.7 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.8A (Ta) 3.1A (Ta) 3.8A (Ta) 2.8A (Ta)
Séries Automotive, AEC-Q101 - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique DMP3099LQ-7 PDF

Téléchargez DMP3099LQ-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMP3099LQ-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Feuilles de données
DMP3099LQ.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Diodes Incorporated
32D-DMP3099LQ-7

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