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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMP21D5UFD-7
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMP21D5UFD-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMP21D5UFD-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMP21D5UFD-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
Description détaillée
Emballage
3-UDFN
Fiche technique
DMP21D5UFD.pdf
État RoHS
En stock: 4670

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMP21D5UFD-7
Diodes Incorporated - DMP21D5UFD-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMP21D5UFD-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur X1-DFN1212-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 100mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 400mW (Ta)  
Package / Boîte 3-UDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 46.1 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.8 nC @ 8 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 600mA (Ta)  
Numéro de produit de base DMP21  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMP21D5UFD-7

Attributs du produit DMP21D5UFD-7 DMP21D0UFD-7 DMP21D0UT-7 DMP21D2UFA-7B
Modèle de produit DMP21D5UFD-7 DMP21D0UFD-7 DMP21D0UT-7 DMP21D2UFA-7B
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 400mW (Ta) 490mW (Ta) 240mW (Ta) 360mW (Ta)
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 600mA (Ta) 820mA (Ta) 590mA (Ta) 330mA (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.8 nC @ 8 V 3 nC @ 4.5 V 1.54 nC @ 8 V 0.8 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 46.1 pF @ 10 V 80 pF @ 10 V 80 pF @ 10 V 49 pF @ 15 V
Package / Boîte 3-UDFN 3-UDFN SOT-523 3-XFDFN
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 700mV @ 250µA (Typ) 1V @ 250µA
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Numéro de produit de base DMP21 DMP21 DMP21 DMP21
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur X1-DFN1212-3 X1-DFN1212-3 SOT-523 X2-DFN0806-3
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 100mA, 4.5V 495mOhm @ 800mA, 4.5V 495mOhm @ 400mA, 4.5V 1Ohm @ 200mA, 4.5V

Fiche technique DMP21D5UFD-7 PDF

Téléchargez DMP21D5UFD-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMP21D5UFD-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices EOL 05/Feb/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018.pdf
Feuilles de données
DMP21D5UFD.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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