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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleDMP2130LDM-7
DMP2130LDM-7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMP2130LDM-7 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMP2130LDM-7
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMP2130LDM-7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6
Fiche technique
DMP2130LDM.pdf
État RoHS
En stock: 240390

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMP2130LDM-7
Diodes Incorporated - DMP2130LDM-7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMP2130LDM-7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-26  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 4.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W  
Package / Boîte SOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 443 pF @ 16 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.3 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A (Ta)  
Numéro de produit de base DMP2130  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMP2130LDM-7

Attributs du produit DMP2130LDM-7 DMP2130L-7 DMP2160U-7 DMP2123LQ-7
Modèle de produit DMP2130LDM-7 DMP2130L-7 DMP2160U-7 DMP2123LQ-7
Fabricant Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 4.5A, 4.5V 75mOhm @ 3.5A, 4.5V 80mOhm @ 1.5A, 4.5V 72mOhm @ 3.5A, 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A (Ta) 3A (Ta) 3.2A (Ta) 3A (Ta)
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA 1.25V @ 250µA 900mV @ 250µA 1.25V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.3 nC @ 4.5 V 7.3 nC @ 4.5 V - 7.3 nC @ 4.5 V
Package composant fournisseur SOT-26 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 443 pF @ 16 V 443 pF @ 16 V 627 pF @ 10 V 443 pF @ 16 V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Numéro de produit de base DMP2130 DMP2130 DMP2160 DMP2123
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte SOT-23-6 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dissipation de puissance (max) 1.25W 1.4W (Ta) 1.4W (Ta) 1.4W (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V

Fiche technique DMP2130LDM-7 PDF

Téléchargez DMP2130LDM-7 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMP2130LDM-7 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 06/Dec/2019.pdf
Conception / spécification PCN
Leadframe Material Update 09/Apr/2014.pdf Bond Wire 23/May/2008.pdf
Feuilles de données
DMP2130LDM.pdf

Mode de transport

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DMP2130LDM-7

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